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J-GLOBAL ID：200903079754777762

調整可能な装置

Inventor：
ゲボルギアン, スパルタック

About ゲボルギアン, スパルタック

, 
デルネルィド, アンデルス

About デルネルィド, アンデルス


Applicant, Patent owner：
テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル)

About テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル)


Agent (5)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006552071
Publication number (International publication number)：2007522735
Application date： Feb. 10, 2004
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：
本発明は調整可能なインピーダンス表面を有する調整可能なマイクロ波/ミリメータ波の構成に関する。その構成は、少なくとも一つの調整可能な強誘電層(3)と、少なくとも一つの第1の上面金属層(1)と、少なくとも一つの第2の金属層(2A,2B)とを有する電磁バンドギャップ構造(EBG)を有する。第1の金属層(1)と第2の金属層(2A)は、強誘電体層(3)の対向する側に配置され、少なくとも一つの第1の上面金属層(1)はパターン化され、少なくとも一つの強誘電層(3)の誘電率は、その強誘電体層の異なる側面に配置された第1の金属層(1)と第2の金属層(2A,2B)との内の少なくともいずれかに直接的にまたは間接的に印加されるDCバイアス電圧に依存する。
Claim (excerpt)：
調整可能なインピーダンス表面を有する調整可能なマイクロ波/ミリメータ波の装置であって、 少なくとも一つの調整可能な強誘電層と少なくとも一つの第1の上面金属層と少なくとも一つの第2の金属層とを有する電磁性バンドギャップ構造(EBG)を有し、 前記第1及び第2の金属層は、前記強誘電層の対向する側に配置され、 前記少なくとも第1の上面金属層はパターン化され、 前記少なくとも一つの強誘電層の誘電率は、前記強誘電層の異なる側面に配置された前記第1と第2の金属層の内、少なくともいずれかに直接的に或は間接的に印加されるDCバイアス電圧に依存することを特徴とする装置。
IPC (3)：
H01Q 3/44 ,  H01Q 15/14 ,  H01P 5/04
FI (3)：
H01Q3/44 ,  H01Q15/14 Z ,  H01P5/04 607
F-Term (16)：
5J020AA03 ,  5J020AA06 ,  5J020BA06 ,  5J020BD01 ,  5J020BD04 ,  5J020DA08 ,  5J021AA05 ,  5J021AA09 ,  5J021AA11 ,  5J021AB06 ,  5J021BA02 ,  5J021BA05 ,  5J021CA05 ,  5J021DB07 ,  5J021JA03 ,  5J021JA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第6195059号明細書
  • スウェーデン特許第513223号公報
  • 米国特許第6329959号明細書
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Cited by examiner (6)
  • 電子同調可能反射器
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-571507   Applicant：エイチアールエルラボラトリーズ,エルエルシー
  • 電波レンズ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-389910   Applicant：日本放送協会
  • 特許第6195059号
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