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J-GLOBAL ID：200903079761041747

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 峯本 尚 ,  園田 信雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993320003
Publication number (International publication number)：1995176821
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 II-VI族半導体レーザ装置の長寿命化及び信頼性の向上を図る。【構成】 不活性ガスを封入した密閉容器17の内部17aに、半導体レーザチップ11と共にゲッタリングヒータ16を設け、組み立て完了後にゲッタリングヒータ16に所定の電流を通電し、密閉容器内部17aの活性不純物ガスとゲッタリングヒータ16の材料とを反応させ、密閉容器内部17aから不純物ガスを除去する。

Claim (excerpt)：

密閉容器と、前記密閉容器内に設けられレーザ光を発振する半導体レーザチップと、前記密閉容器内に設けられ前記密閉容器内の不純物ガスを除去するためのゲッタリングヒータとを具備する半導体レーザ装置。