Pat

J-GLOBAL ID：200903079764916469

半導体装置及びその電極形成方法

Inventor： 納田 文男 ,  真嶋 宗位
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992205711
Publication number (International publication number)：1994053437
Application date： Jul. 31, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置を形成するPt電極と誘電体層等の各層間密着強度及び接合強度の向上を図った半導体装置およびその電極形成方法の提供。【構成】 誘電体層の両面を挟持するPt電極が基板に固定された半導体装置において、前記Pt電極が、Ptを主成分として不可避不純物のPdを6wt・ppm以下含有されているスパッタリングターゲットをスパッタすることにより形成され、該Pt電極中の不可避不純物であるPdの含有量が6wt・ppm以下に制御されていることを特徴とする。【効果】 信頼性の良好な半導体装置の形成及びその歩留まりの向上を図る。

Claim (excerpt)：

誘電体層の両面を挟持するPt電極が基板に固定された半導体装置において、前記Pt電極が、Ptを主成分として不可避不純物のPdを6wt・ppm以下含有されているスパッタリングターゲットをスパッタすることにより形成され、該Pt電極中の不可避不純物であるPdの含有量が6wt・ppm以下に制御されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-099773   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション