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J-GLOBAL ID：200903079775456753

表示装置及びその製造方法

Inventor： 井上 聡
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000372219
Publication number (International publication number)：2002176178
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 低コストに製造することのできる表示装置を実現する。【解決手段】 基板上に設けられている画素電極101の周囲にソースライン102を設け、ソース及びゲートとなる領域を開口させた絶縁膜103を形成し、ソース104a及びドレイン104bを形成し、これらソース104a及びドレイン104bの上方に半導体膜5、ゲート105を設ける製造方法において、略大気圧下において上記各部を形成する。略大気圧下において製造できるので、真空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。

Claim (excerpt)：

画素電極と、前記画素電極に電圧を印加するためのトランジスタと、を含む表示装置であって、少なくとも、前記トランジスタの能動層が有機材料からなることを特徴とする表示装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/167 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/37

FI (6)：

G02F 1/167 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/37 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 626 C

F-Term (25)：

5C094BA03 ,  5C094BA09 ,  5C094BA75 ,  5C094BA76 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE04 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110HK02 ,  5F110HK31 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN32