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J-GLOBAL ID：200903079784259715

イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法

Inventor： 森 治久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991164796
Publication number (International publication number)：1993013039
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法に関し、局部毎の正味注入電荷を検出することができ、局部的に大きなチャージングが生じているのを検出することができるイオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法を提供することを目的とする。【構成】 真空容器中で被照射物を支持する支持手段と、該被照射物にイオンビームを照射するイオンビーム照射手段と、該被照射物表面又は該イオンビームに電子を供給する電子供給手段と、該被照射物表面に相当する面上の複数の位置で該面に流入する該イオンによる正電荷と、該電子による負電荷との合成電流を正負両極性で測定可能である電流測定手段とを備えるように構成する。

Claim (excerpt)：

真空容器中で被照射物を支持する支持手段と、該被照射物にイオンビームを照射するイオンビーム照射手段と、該被照射物表面又は該イオンビームに電子を供給する電子供給手段と、該被照射物表面に相当する面上の複数の位置で該面に流入する該イオンによる正電荷と、該電子による負電荷との合成電流を正負両極性で測定可能である電流測定手段とを備えることを特徴とするイオンビーム照射装置。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/04 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/265 N ,  H01L 21/265 T