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J-GLOBAL ID：200903079794165816

レーザ加工方法

Inventor： 福世 文嗣 ,  福満 憲志
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002067406
Publication number (International publication number)：2003266185
Application date： Mar. 12, 2002
Publication date： Sep. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板を切断するための切断力を一定とし得る切断予定部を半導体基板に形成することのできるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るレーザ加工方法は、半導体基板1の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、半導体基板1の内部に多光子吸収による溶融処理領域を形成することによって、半導体基板1の内部に平行切断予定部9aを形成する工程と、半導体基板1の内部に垂直切断予定部9bを形成する工程とを備え、平行切断予定部9aに沿って半導体基板1を切断するための切断力と、垂直切断予定部9bに沿って半導体基板1を切断するための切断力とが同等となるよう、平行切断予定部9aにおける溶融処理領域の形成密度に比べ、垂直切断予定部9bにおける溶融処理領域の形成密度を高くすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、当該改質領域でもって第1の方向に第1の切断予定部を形成する工程と、半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、当該改質領域でもって前記第1の方向と交差する第2の方向に第2の切断予定部を形成する工程と、を備え、前記第1の切断予定部に沿って前記半導体基板を切断するための第1の切断力と、前記第2の切断予定部に沿って前記半導体基板を切断するための第2の切断力とが同等となるよう、前記第1の切断予定部における改質領域の形成状態と前記第2の切断予定部における改質領域の形成状態とを互いに異ならせる、ことを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (6)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/00 320 ,  B23K 26/04 ,  B28D 5/00 ,  H01L 21/301 ,  B23K101:40

FI (8)：

B23K 26/00 D ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/00 320 E ,  B23K 26/04 C ,  B28D 5/00 Z ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 L

F-Term (13)：

3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069BB02 ,  3C069BB03 ,  3C069CA05 ,  3C069EA02 ,  4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-009951   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-225509
  
• 特開平1-225510