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J-GLOBAL ID：200903079796727285

ひずみ補償長波長半導体発光素子

Inventor： 末宗 幾夫 ,  サシカラ ガナパシー
Applicant, Patent owner： 末宗 幾夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002170688
Publication number (International publication number)：2003332695
Application date： May. 07, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】従来より各種の発光素子が光通信用として開発されているが,1.5ミクロン帯の波長領域では,発光強度が環境温度によって変化する等の問題があった。そのため発光素子の温度制御が不可欠となり,コスト面から課題となっていた。この課題を解決する有力な方法は,量子ドットと呼ばれる半導体島構造を形成することであるが,その形成に必要な圧縮ひずみが内部に残留し,1.3ミクロンより長波長での発光が困難という制限があった。【解決手段】この発明は,上記の課題を解決するものとして,インジウムと砒素を含む化合物半導体からなる島構造を形成し,これに接するように窒素を含む化合物半導体層を積層してなることを特徴とする半導体発光素子を提供する。またこの発明においては,前記インジウムと砒素を含む化合物半導体島構造とこれに接するように積層した窒素を含む化合物半導体層を挟む上下の化合物半導体層でpn接合を形成することをその一つの態様ともしている。

Claim (excerpt)：

インジウムと砒素を含む化合物半導体島構造に,窒素を含む化合物半導体層をこれに接するように積層してなることを特徴とする長波長半導体発光素子。

F-Term (5)：

5F073AA75 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073EA03