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J-GLOBAL ID：200903079815205040

プラズマエッチング方法

Inventor： 縄田 誠 ,  金井 三郎 ,  伊東 哲
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249599
Publication number (International publication number)：1994101073
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 12, 1994
Summary：

【要約】【構成】ガス供給装置から導入された弗化炭素ガスがマイクロ波発振器からマイクロ波電解とソレノイドコイル4による磁界との作用によりプラズマ化される。電極カバー7で覆われた載置電極5上に基板5が載置される。【効果】酸素(O2)あるいは窒素(N2)を含まない半導体あるいは絶縁体材料を電極カバー7に用いることにより、シリコン酸化膜のエッチングにおいて、エッチング時のマスクとなるレジストと下地膜であるシリコン膜の基板内の均一性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

エッチングガスとして弗化炭素ガスを用いてプラズマを生成し、該プラズマによりレジスト、シリコン酸化膜及びシリコン膜とが積層された基板のシリコン酸化膜をプラズマによりエッチングを行うプラズマエッチング方法において、前記基板を載置する電極を覆っている電極カバーの材料に酸素(O2)あるいは窒素(N2)を含まない半導体あるいは絶縁体材料を用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-065131
  
• 特開平3-237715
  
• 特開平3-241740