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J-GLOBAL ID：200903079819732117

半導体装置の製造方法

Inventor： 服部 恵子 ,  服部 孝司 ,  白石 洋 ,  筒井 謙 ,  福本 佳子 ,  小野塚 利彦 ,  白井 精一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996010668
Publication number (International publication number)：1997205057
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】多層フォトレジスト間のミキシングを抑制でき、かつ現像液の浸透による剥がれが起こらず、リフトオフに適した形状を得る。【解決手段】第1のフォトレジスト層と、第2のフォトレジスト層からなる複数層のフォトレジスト層で、第1のフォトレジスト層に対して不溶の溶剤を用い、第2のフォトレジストの溶剤に対し不溶である材質からなり、当該第1及び第2のフォトレジストと同じ型の感光性を有する層間分離膜を第1及び第2のフォトレジスト層間に設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にポジ型またはネガ型フォトレジストからなる第1のフォトレジスト層と、前記第1のフォトレジスト層上に形成された当該第1のフォトレジストと同じ型のフォトレジストからなる第2のフォトレジスト層からなる複数層のフォトレジスト層を形成した後、実質的に同一の露光及び現像工程を用いてレジストパタンを形成する半導体装置の製造方法において、当該第1のフォトレジスト層に対して不溶の溶剤を用いて当該第2のフォトレジストの溶剤に対し不溶である材質からなり、当該第1及び第2のフォトレジストと同じ型の感光性を有する層間分離膜を当該第1及び第2のフォトレジスト層間に設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/26 511

FI (4)：

H01L 21/30 573 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 569 E