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J-GLOBAL ID：200903079834445477

半導体装置の製造方法

Inventor： 山野 剛
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991174239
Publication number (International publication number)：1993021759
Application date： Jul. 16, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 縮少投影露光装置の露光開口部のサイズの影響を受けない大規模の半導体装置の製造方法を得る。【構成】 縮少投影露光装置を用いて複数のゲートアレイ2A〜5A形成を形成した後、1対1の投影露光装置を用いて各ゲートアレイ間を配線6Aで接続して組合わせることにより単一のゲートアレイチップ1Aを形成する。【効果】 現状のLSIより大規模なLSIが形成できるため多機能はLSIが製造できる。

Claim (excerpt)：

縮少投影露光装置を用いて半導体基板上にゲートの組合せを変えることによって夫々機能の異なる複数のゲートアレイを形成する工程と、上記縮少投影露光装置より大きな露光開口部を有する投影露光装置を用いて上記複数のゲートアレイ間を配線で接続して組合せることにより、単一のゲートアレイチップを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/118 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/10 471

FI (2)：

H01L 21/82 M ,  H01L 21/30 311 L