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J-GLOBAL ID：200903079846878484

超伝導材料

Inventor： 足立 秀明 ,  平本 雅祥 ,  松川 望
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001092490
Publication number (International publication number)：2002284519
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 03, 2002
Summary：

【要約】【課題】 金属化合物のMgB2超伝導物質は高密度の材料合成が困難であり、それに起因して材料中の超伝導体積分率が低い点を改善する超伝導材料を提供することを目的とする。【解決手段】 組成式 (A1-XMX)(B1-Y TY)2 (ここでAは、IIa族から選ばれた少なくとも1種、Mは、Ib〜VIIIbあるいはランタノイドに属する少なくとも1種の元素、Bは硼素、TはC、Nから選ばれた少なくとも1種の元素)で表された超伝導材料である。また、主成分が組成式AB2 (ここでAは、IIa族から選ばれた少なくとも1種の元素,Bは硼素)で表され、前記A元素が主体の層と、Bが主体の層とが、交互に積層された構造において、A元素が主体の層が少なくとも2種類の化学組成の層で構成された超伝導材料である。

Claim (excerpt)：

組成式 (A1-XMX)(B1-Y TY)2 (ここでAは、IIa族から選ばれた少なくとも1種、Mは、Ib〜VIIIbあるいはランタノイドに属する少なくとも1種の元素、Bは硼素、TはC、Nから選ばれた少なくとも1種の元素)で表された超伝導材料。

IPC (6)：

C01B 35/04 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/10 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (6)：

C01B 35/04 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/10 ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/12 ZAA A ,  H01L 39/24 ZAA B

F-Term (34)：

4G047CA07 ,  4G047CB09 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4G047JA03 ,  4G047JA04 ,  4G047JB02 ,  4G047JC16 ,  4G047KE04 ,  4G047LB01 ,  4G077AA03 ,  4G077BE06 ,  4G077BE07 ,  4G077BE11 ,  4G077BE18 ,  4G077DA14 ,  4G077DA16 ,  4G077EF04 ,  4G077HA08 ,  4M113AD45 ,  4M113BA04 ,  4M113BA08 ,  4M113BA09 ,  4M113BA14 ,  4M113BA15 ,  4M113BA23 ,  4M113CA12 ,  4M113CA43 ,  4M114AA29 ,  4M114BB01 ,  4M114BB05 ,  4M114CC03 ,  4M114CC07