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J-GLOBAL ID：200903079850596280

結晶性薄膜製造方法

Inventor： 鮫島 克己
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992257940
Publication number (International publication number)：1994112504
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 配向性に優れた結晶構造を有する薄膜を短時間で形成する方法を提供する。【構成】 基板5上面に配向性に優れたチタン結晶体7を形成した後に成長速度の早い成膜条件でチタン結晶性薄膜9を成長させているから、チタン結晶体7の優れた配向性を受継いだチタン結晶性薄膜3を短時間で形成することができる。チタン結晶性薄膜3上面に白金薄膜11及びPZT薄膜をこの順で形成する。この際、PZT薄膜は、チタン結晶性薄膜3により基板から剥離することなく白金の優れた配向性を受継いだ優れた結晶構造を有する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造における結晶性薄膜の製造方法であって、配向性に優れた結晶構造を有する第一膜を成膜した後、成長速度の早い成膜条件で第二膜を形成することを特徴とする結晶性薄膜製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301