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J-GLOBAL ID：200903079875212762

絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  張 宏勇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992102202
Publication number (International publication number)：1994163896
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウムゲイトを有する薄膜絶縁ゲイト型電解効果トランジスタにおいて、チャネルへの可動イオンの侵入を防止することと、層間の配線の接続を容易にする方法を提供することを目的とする。【構成】 ゲイト電極の表面が陽極酸化されたアルミニウムゲイトを有する薄膜絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、ゲイト電極とゲイト絶縁膜の間に窒化珪素膜が挟まれた構造を有せしめることによって、チャネルへの可動イオンの侵入を防止し、さらに、陽極酸化の際に、特定の部分をクロム等の金属材料で覆って陽極酸化したのち、クロムのみを、その陽極酸化物とともに除去することによって、下地の金属アルミニウムの露出した部分を形成し、その部分に上部の配線を接続させる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に少なくとも半導体層、絶縁膜層およびアルミニウムからなるゲイト電極を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、絶縁膜層は、酸化珪素層と窒化珪素層とからなることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/136 500