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J-GLOBAL ID：200903079884552258

フィルムキャリアおよびこれを用いた半導体装置

Inventor： 日野 敦司 ,  内藤 俊樹 ,  杉本 正和
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993152452
Publication number (International publication number)：1994077293
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子配線のファインピッチ化や高密度実装化、薄型化に充分に対応でき、しかも半導体素子の封止に用いる絶縁性樹脂とフィルムキャリアとの間の密着性に優れ、信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】 導電回路5は、絶縁体層6の両面6a,6bに露出しないように埋設されており、導電回路5の両面5a,5bから導通路7,8が、導電回路5の面方向にずれて対をなして形成されている。各導通路7,8はバンプ9,10にそれぞれ接続しており、導電回路5と各バンプ9,10とは、各導通路7,8を介して導通している。フィルムキャリア2の一方の導通路7の片端部に形成されたバンプ9は、半導体素子3の電極12に接触して、電気的に接続され、フィルムキャリア2は半導体素子3を搭載している。この半導体素子3を被覆するように、絶縁体層6の片面6aに接して、絶縁性樹脂層4が形成されている。

Claim (excerpt)：

導電回路が表面に露出しないように絶縁体層内に埋設され、かつ前記導電回路から前記絶縁体層の両表面に達する導通路が形成されていることを特徴とするフィルムキャリア。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-154136
  
• 特開昭54-071568
  
• 特開平4-091448