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J-GLOBAL ID：200903079895868940

半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 冨岡 聡
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999019651
Publication number (International publication number)：2000223417
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 格子定数や熱膨張係数が異なる基板上に窒化物系III-V族化合物半導体などの半導体の厚膜を成長させても、反りや亀裂が発生しない半導体の成長方法、これを用いた半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 成長マスクを用いてGaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板、例えばサファイア基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、成長マスクとして、3回対称または6回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスク4を用いる。3回対称の対称性を有するパターンは例えば正三角形、6回対称の対称性を有するパターンは例えば正六角形である。このようにして厚膜の窒化物系III-V族化合物半導体層を選択成長させた後、基板をラッピングなどにより除去して窒化物系III-V族化合物半導体層のみを取り出し、これを基板としてGaN系半導体レーザなどの半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

成長マスクを用いて半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、上記成長マスクとして、ほぼ3回対称または6回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスクを用いることを特徴とする半導体の成長方法。

F-Term (19)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC18 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045GH09