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J-GLOBAL ID：200903079896961854
超音波トランスデューサとその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
奈良 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993098741
Publication number (International publication number)：1994285063
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】 接着層を一切用いず、裁断工程を必要とせず製造し、性能を向上させて、大幅なコスト低減を実現する。【構成】 絶縁基板23上に下部電極16を噴射堆積により形成する。同様にして、下部電極16上に圧電体薄膜17,上部電極18および音響整合層35を順次形成する。絶縁基板23下に噴射堆積によりダンピング層22を形成する。
Claim (excerpt)：
圧電素子層,音響整合層およびダンピング層を基本構成要素とする超音波トランスデューサにおいて、前記基本構成要素の内の少なくとも1つの層が超微粒子を噴射堆積することにより形成したことを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (4)：
A61B 8/00
, G01N 29/24 502
, H01L 41/24
, H04R 17/00 330
