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J-GLOBAL ID：200903079900055332

薄膜形成装置および薄膜形成方法、ならびにリチウムイオン電池

Inventor： 稲葉 純一 ,  樋口 洋 ,  本田 和義 ,  岡崎 禎之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (11)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  後藤 高志 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003090121
Publication number (International publication number)：2004292931
Application date： Mar. 28, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】薄膜形成効率を向上させた薄膜形成装置を提供すること【解決手段】薄膜を構成する材料を供給する材料供給源13と、材料供給源13から発せられた材料が付着する薄膜材料支持体11と、薄膜材料支持体11を移動させる駆動機構20とを備えた、薄膜形成装置100である。駆動機構20は、薄膜材料支持体11が材料供給源13に対して凹面となるたわみが生じるように、薄膜材料支持体11に応力を加えて薄膜材料支持体11を移動させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

薄膜を形成するための薄膜形成装置であって、 前記薄膜を構成する材料を供給する材料供給源と、 前記材料供給源から発せられた材料が付着する薄膜材料支持体と、 前記薄膜材料支持体を移動させる駆動機構と を備え、 前記駆動機構は、前記薄膜材料支持体が前記材料供給源に対して凹面となるたわみが生じるように、前記薄膜材料支持体に応力を加えて前記薄膜材料支持体を移動させる、薄膜形成装置。

IPC (5)：

C23C14/56 ,  G11B5/85 ,  H01M4/02 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

FI (5)：

C23C14/56 B ,  G11B5/85 A ,  H01M4/02 C ,  H01M4/58 ,  H01M10/40 Z

F-Term (20)：

4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029KA03 ,  5D112FA02 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029CJ01 ,  5H029CJ30 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050DA02 ,  5H050GA01 ,  5H050GA24 ,  5H050GA29