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J-GLOBAL ID:200903079910518608
ポジ型ホトレジスト組成物
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
阿形 明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993323168
Publication number (International publication number):1995152151
Application date: Nov. 29, 1993
Publication date: Jun. 16, 1995
Summary:
【要約】【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)ナフトキノン-1,2-ジアジドスルホン酸のエステル化合物と(C)4,4′-ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノンとを含有し、(C)成分の含有量が、(C)成分を除く組成物の全固形分に対して0.1〜1.0重量%であるポジ型ホトレジスト組成物である。(A)成分としてはアルカリ可溶性ノボラック型樹脂が、(B)成分としてはポリヒドロキシ化合物とのエステル化物が、(C)成分としては4,4′-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン類が好ましい。【効果】 高解像性で、断面形状及び耐熱性に優れたレジストパターンを形成でき、かつ高感度で、しかも焦点深度幅特性及びハレーション防止効果に優れるとともに、十分な露光余裕度を有し、特に凹凸を有する基板や反射率の高い基板に用いて好適であり、中でもICやLSIなどの半導体デバイスの製造において、超微細加工用レジストとして好適。
Claim (excerpt):
(A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)ナフトキノン-1,2-ジアジドスルホン酸のエステル化合物と(C)4,4′-ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノンとを含有し、(C)成分の含有量が、(C)成分を除く組成物の全固形分に対して0.1〜1.0重量%であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/022
, G03F 7/004 503
, G03F 7/031
, H01L 21/027
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