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J-GLOBAL ID:200903079941268910
半導体ウエーハの薬液処理方法及びその薬液処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
大胡 典夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994094798
Publication number (International publication number):1995302744
Application date: May. 09, 1994
Publication date: Nov. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 薬液による半導体ウエーハに付着するレジスト剥離ならびに有機物処理用の効率を上げると共に、薬液を浄化して有機不純物による逆汚染を防止する点。【構成】 水に対する溶解度が小さいヘリウムガスにより過酸化水素を含む混合薬液10をパージすることにより揮発性有機物を効率良く揮発できるとの事実を基に完成した。この方式の採用により従来の窒素ガスに比べて半導体ウエーハWの処理の歩留が約5%向上した。
Claim (excerpt):
半導体ウエ-ハを被覆する有機物を除去する混合薬液をパージする工程を備えることを特徴とする半導体ウエーハの薬液処理方法
IPC (2):
H01L 21/027
, H01L 21/304 341
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