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J-GLOBAL ID：200903079965096478

半導体装置の製造方法

Inventor： 庭山 雅彦
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998315864
Publication number (International publication number)：2000150407
Application date： Nov. 06, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板表面の複数に分割された領域に異なるドーズ量のイオン注入を行って電気的特性の異なるデバイスを形成する際に、イオン注入マスクを複数回形成する必要があり、工程が煩雑になるとともに、コストもアップする。【解決手段】 半導体基板1の表面に複数の分割された領域を設け、各領域の半導体基板内に領域毎に異なるドーズ量のイオンビーム2を、走査速度を変えながら連続的に照射する。各領域には、走査速度に対応した異なるドーズ量のイオンが注入されているので、それぞれ異なる電気的特性をもつ半導体デバイスが形成でき、開発段階での試作工程数を削減でき、試作時間が短縮され、開発コストを大幅に引き下げることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に複数の分割された領域を設け、各領域の半導体基板内に各領域毎に異なるドーズ量のイオン注入を連続して行い、前記各領域内に形成される半導体デバイスが異なる電気的特性を有するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。