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J-GLOBAL ID：200903079969698650

成膜方法

Inventor： 山▲崎▼ 英亮 ,  松沢 興明 ,  河野 有美子
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003194394
Publication number (International publication number)：2005029821
Application date： Jul. 09, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】金属膜の不純物量を低減する成膜方法を提供する。【解決手段】被処理基板に第1の金属を含む膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板に、当該第1の金属を含む第1の金属カルボニル化合物を含む第1の処理ガスを供給する第1の工程と、前記被処理基板に前記第1の金属カルボニル化合物と異なる金属化合物を含む第2の処理ガスを供給する第2の工程と、前記第1の金属カルボニル化合物を構成する炭素と酸素が前記金属化合物を形成する第2の金属と結合して第2の金属カルボニル化合物が形成される第3の工程を含むことを特徴とする成膜方法を用いて、不純物量の少ない金属膜を形成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

被処理基板に第1の金属を含む膜を成膜する成膜方法であって、 前記被処理基板に、当該第1の金属を含む第1の金属カルボニル化合物を含む第1の処理ガスを供給する第1の工程と、 前記被処理基板に前記第1の金属カルボニル化合物と異なる金属化合物を含む第2の処理ガスを供給する第2の工程と、 前記第1の金属カルボニル化合物を構成する炭素と酸素が前記金属化合物を形成する第2の金属と結合して第2の金属カルボニル化合物が形成される第3の工程を含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

FI (5)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/285 301 ,  H01L21/90 A

F-Term (43)：

4K030AA12 ,  4K030AA18 ,  4K030BA06 ,  4K030BA14 ,  4K030BA20 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK17 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP03 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033XX10