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J-GLOBAL ID：200903079983761810

X線露光法

Inventor： 小川 太郎 ,  村山 精一 ,  武田 英次
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183454
Publication number (International publication number)：1994029192
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 X線によりウェハ上にマスクパターンの転写を行うX線露光法において,マスクパターンの転写寸法精度の劣化を低減することを目的とする。【構成】 本発明はマスクパターン透過光とマスクパターン側壁からの反射光との干渉により生ずるウェハ上でのX線露光強度分布とマスクパターン寸法との変換差に基づき,予めマスクパターン寸法の変更ないしはマスクパターン膜厚の変更,さらにはマスクとウェハの間隙の変更を行うことを特長とする。【効果】 従来法において問題となるマスクパターン転写寸法精度の劣化を低減することが可能となる。

Claim (excerpt)：

所望のパターンが形成されたマスクをウェハに近接させ,X線によりウェハ上にパターンの転写を行うX線露光法において,マスクパターン透過光とマスクパターン側壁からの反射光との干渉により生ずるウェハ上でのX線露光強度分布とマスクパターン寸法との変換差に基づき,予めマスクパターン寸法の変更ないしはマスクパターン膜厚の変更を行うことにより,所望のパターン寸法の転写を行うことを特徴とするX線露光法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521