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J-GLOBAL ID：200903079986178229

配線パターン形成方法及び積層配線基板の製造方法

Inventor： 畑村 洋太郎 ,  中尾 政之 ,  田上 文一 ,  石原 昌作
Applicant, Patent owner： 畑村 洋太郎 ,  中尾 政之 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998298341
Publication number (International publication number)：2000124581
Application date： Oct. 20, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】配線パターンの配線幅を狭くすることができ、高密度化が可能な配線パターン形成方法及び積層配線基板を提供することにある。【解決手段】基板10上には、プレス加工により、スルーホール14及び配線パターンに対応した配線溝16を形成する。基板10の表面に金属膜40を形成して、スルーホール14に金属材料を充填するとともに、配線溝16を金属材料で充填して配線パターンを形成する。複数枚の配線基板を積層圧着して、積層配線基板100を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に金属材料からなる配線パターンを形成する配線パターン形成方法において、上記基板上に、上記配線パターンに対応した配線溝を、プレス加工により形成し、この配線溝に金属材料を充填して配線パターンを形成することを特徴とする配線パターン形成方法。

IPC (3)：

H05K 3/10 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46

FI (3)：

H05K 3/10 E ,  H05K 3/00 J ,  H05K 3/46 N

F-Term (29)：

5E343AA02 ,  5E343AA07 ,  5E343AA26 ,  5E343BB02 ,  5E343BB03 ,  5E343BB24 ,  5E343BB28 ,  5E343DD23 ,  5E343DD25 ,  5E343DD32 ,  5E343DD52 ,  5E343EE32 ,  5E343EE33 ,  5E343EE43 ,  5E346AA12 ,  5E346CC08 ,  5E346CC16 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346DD12 ,  5E346DD16 ,  5E346DD17 ,  5E346DD22 ,  5E346EE04 ,  5E346FF01 ,  5E346FF04 ,  5E346FF07 ,  5E346FF31 ,  5E346GG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-035693
  
• 特開昭61-224391
  
• 特開昭49-006468
  
• 多層配線基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-350811   Applicant：新光電気工業株式会社