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J-GLOBAL ID：200903079987395550

薄膜半導体装置と薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 石宇 武彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997260312
Publication number (International publication number)：1999095259
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 画素領域、駆動回路領域の薄膜トランジスタに要求される固有の特性をそれぞれの領域に有する多結晶シリコン薄膜トランジスタ用アレイ基板を作製し、高品位な画素表示を実現する液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 レーザーアニールを用いて非晶質シリコンを結晶化する際、画素領域10と駆動回路領域20において前記下地層103の厚みを変えるか、又は熱伝導率の異なる材料を用いることにより、互いに異なる冷却速度で前記画素領域及び前記駆動回路領域を冷却し、結晶性の異なる多結晶シリコン領域を作製する。

Claim (excerpt)：

絶縁ガラス基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成された画素部多結晶シリコン薄膜トランジスタを含む画素領域と、該下地層上に形成され、該画素領域薄膜トランジスタを駆動するための駆動回路部多結晶シリコン薄膜トランジスタを含む駆動回路領域とを具備し、前記画素領域の下地層の厚みは、前記駆動回路領域の下地層より厚いことを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/33 ,  H01L 29/786

FI (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/33 K ,  H01L 29/78 612 B