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J-GLOBAL ID：200903079994240073
プラズマ処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239682
Publication number (International publication number)：1994089876
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体装置製造に用いるマイクロ波を利用したプラズマ処理装置において、エッチング材料を均一にエッチングできる構造を有するプラズマ処理装置を提供する。【構成】反応室を形成し、マイクロ波を導入する部分となる石英3の上部の形状を平面としたすることを特徴とするプラズマ処理装置。【効果】石英反応室3の上部の形状を平面としているため、マイクロ波の入射および透過率のムラが改善される。マイクロ波の分布および形成されるプラズマの分布もその偏りがなくなり、高周波バイアスによって電極6に引き込まれる反応種も均一化され、ウエハ面内のエッチングレ-トおよび形状差も改善される。
Claim (excerpt)：
反応室を形成し、マイクロ波を導入する部分となる石英の上部の形状が平面になっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
