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J-GLOBAL ID：200903079996702910

多結晶シリコン薄膜及びその製造方法

Inventor： 吉川 俊明
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994109691
Publication number (International publication number)：1995315826
Application date： May. 24, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電気的特性の優れた多結晶シリコン薄膜の提供と、低温で安価で再現性よく優れた多結晶シリコン薄膜の製造方法の提供。【構成】 (110)面の配向を80%以上とした柱状構造とする。又、不純物濃度を100ppb以下で、13.56MHz以上の高周波で、2nm/秒以上の成膜速度でスパッタリング方法により製造する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された(110)面の配向が80%以上で柱状構造を有する事を特徴とする多結晶シリコン薄膜。

IPC (8)：

C01B 33/02 ,  C23C 14/10 ,  C23C 14/40 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 31/04 X