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J-GLOBAL ID：200903080013092655

トレンチ絶縁ゲート電界効果トランジスタ

Inventor： レイモンド、イェー.エー.ヒューティング ,  アーウィン、アー.ハイゼン
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006540762
Publication number (International publication number)：2007512700
Application date： Nov. 26, 2004
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

この発明は、ドレイン(8)、ドリフト領域(10)、ボディ領域(12)およびソース領域(14)を備えるトレンチMSOSETに関する。ドリフト領域は、濃度変化の高い変化の度合いを有して不純物拡散されている。フィールドプレート電極(34)は、ドリフト領域(10)に隣接して備えられ、ゲート電極(32)はボディ領域(12)の次に備えられる。

Claim (excerpt)：

逆向きの第1の主面および第2の主面を有する半導体ボディと、 前記第1の主面で第1導電型のソース領域と、 前記ソース領域の下側で前記第1の導電型と反対の第2の導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域の下側で前記第1の導電型のドリフト領域と、 前記ドリフト領域の下側で前記第1導電型の領域であって、前記ソース、ボディ、ドリフトおよびこの領域が前記第1の主面から前記第2の主面に向かってこの順番で延びている、ドレイン領域と、 前記第1の主面から前記第2の主面へ向かって前記ソース領域および前記ボディ領域を介して前記ドリフト領域内へと延びる複数の絶縁トレンチであり、各トレンチが側壁を有し、前記側壁に設けられる絶縁膜と、ゲート絶縁膜により前記ボディ領域から分離されて前記ボディ領域に隣接する少なくとも1つの導電性のゲート電極と、フィールドプレート絶縁膜により前記ドリフト領域から分離されて前記ドリフト領域に隣接する少なくとも1つの導電性のフィールドプレート電極と、前記フィールドプレートを前記ゲートから分離するゲート/フィールドプレート絶縁膜と、を備える前記絶縁トレンチと、を備え、 前記ソース領域およびトレンチは、前記第1の主面を横切るセルのパターンを画定し、 前記ドリフト領域内の不純物拡散濃度は、前記ボディ領域に隣接する前記ドリフト領域の一部分から、前記ドレイン領域に隣接する前記ドリフト領域の部分へと増加し、前記ドリフト領域内の不純物拡散濃度は、前記ボディ領域に隣接する部分よりも前記ドレイン領域に隣接する部分の方で少なくとも50倍大きい、絶縁ゲート電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (6)：

H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652M