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J-GLOBAL ID:200903080014188915

リード測定方法およびリード測定装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 秋田 収喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995340666
Publication number (International publication number):1997178453
Application date: Dec. 27, 1995
Publication date: Jul. 11, 1997
Summary:
【要約】【課題】 ICのJベンドリードの平坦度測定を正確に行う。【解決手段】 裏返し状態の半導体装置の各Jベンドリードの実装面に対してかつ予め設定された標準走査ラインに沿ってレーザビームを走査し、その反射光を検出してリードの平坦度を測定するリード測定方法であって、最初に少なくとも1つの半導体装置を測定してリード実装面の配列情報を得た後、前記配列情報から前記走査ラインの補正を行い各リード実装面の先端部を通る補正走査ラインを新たに設定し、その後同一生産ロットの半導体装置のリードの平坦度測定を前記補正走査ラインに沿うレーザビーム走査によって行う。具体的には、各Jベンドリードの実装面の先端(頂点)の前記標準走査ラインに対するずれ量を求め、そのずれ量の平均値を用いて補正して新たに補正走査ラインを決定する。
Claim (excerpt):
半導体装置の各リード実装面に対してかつ予め設定された標準走査ラインに沿ってレーザビームを走査し、その反射光を検出してリードの平坦度を測定するリード測定方法であって、最初に少なくとも1つの半導体装置を測定してリード実装面の配列情報を得た後、前記配列情報から前記走査ラインの補正を行い各リード実装面の先端部を通る補正走査ラインを新たに設定し、その後同一生産ロットの半導体装置のリードの平坦度測定を前記補正走査ラインに沿うレーザビーム走査によって行うことを特徴とするリード測定方法。
IPC (2):
G01B 11/30 101 ,  H01L 21/66
FI (2):
G01B 11/30 101 A ,  H01L 21/66 J

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