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J-GLOBAL ID：200903080018230240

プラズマ処理装置

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001292508
Publication number (International publication number)：2002176038
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：
【要約】【課題】 比較的大面積の被処理体を処理する大型の処理容器であっても,高密度で均一な高周波プラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 導電性材料からなる処理容器2と,処理容器内を排気するための排気ポンプと,処理容器内にガスを導入するためのガス供給手段と,処理容器内に設けられ被処理体を載置する載置台と,処理室の外部に絶縁材5を介して平面渦巻きコイル状に形成した高周波アンテナ73とから構成されるプラズマ処理装置において,高周波アンテナを複数設ける。
Claim (excerpt)：
導電性材料からなる処理容器と,前記処理容器内を排気するための排気ポンプと,前記処理容器内にガスを導入するためのガス供給手段と,前記処理容器内に設けられ被処理体を載置する載置台と,処理室の外部に絶縁材を介して平面渦巻きコイル状に形成した複数の高周波アンテナとから構成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (2)：
H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B
F-Term (17)：
5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BC02 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CA08 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開平3-079025
  • 特開平2-235332
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-309257   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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