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J-GLOBAL ID：200903080019886556

半導体装置の製造方法と製造装置

Inventor： 橋本 浩一 ,  鎌田 剛 ,  彦坂 幸信 ,  長谷川 明広
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995265749
Publication number (International publication number)：1997092645
Application date： Oct. 13, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プラズマを用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(IGFET)の製造技術に関し、微細パターンの加工においてもゲート絶縁膜の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体層、その上に形成され、絶縁耐圧がB(V)であり、厚さが10nm以下であるゲート絶縁膜、その上に形成されたアンテナ比が500以上であるアンテナ構造の導電体層、その上に形成され、アスペクト比が1より大の開口部を有する絶縁体パターンを有する半導体ウエハをプラズマ処理装置内に搬入する工程と、電子温度Te(eV)がTe≦Bであるプラズマ中で前記半導体ウエハを処理する工程とを含む半導体装置の製造方法提供される。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造におけるプラズマ処理において、プラズマ中の電子エネルギ分布、あるいはその代表値である電子温度が予め決められた値よりも小さくなるように、rf周波数、電力、磁場、圧力、ガス種のうち少なくとも1つを制御して、電子が高アスペクト比絶縁体パターン間に存在する導電体パターン内に入れるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-130370
  
• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-338764   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-330295   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマ発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-023994   Applicant：東京エレクトロン株式会社