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J-GLOBAL ID：200903080026299879

炭化珪素質部材及びその製造方法

Inventor： 加藤 茂男 ,  市島 雅彦 ,  稲葉 毅 ,  武田 修一 ,  佐藤 勝憲
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996216888
Publication number (International publication number)：1998045485
Application date： Jul. 31, 1996
Publication date： Feb. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Si含浸炭化珪素質基材とその表面にCVD法で形成するSiC薄膜との密着性を高め、SiC薄膜の耐剥離性を高めることによって、耐酸化性、耐薬品性、耐熱衝撃性等の諸特性に優れた炭化珪素質部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Siを含浸した炭化珪素基材の表面に炭素を被覆する工程と、SiCの生成温度で加熱して前述の炭素で基材表面のSiをSiC化してSiC転化層を形成する工程と、未反応の炭素を除去する工程と、少くとも部分的にSiC転化層が形成された基材表面にCVD法によりSiC薄膜を形成する工程からなる炭化珪素質部材の製造方法。また、SiC粒子部及びSi部からなるSi含浸の炭化珪素質基材にCVD法によりSiC薄膜を形成した炭化珪素質部材において、上記炭化珪素質基材の表面が、上記SiC粒子部及び上記Si部をSiC化したSiC転化層からなる。

Claim (excerpt)：

Siを含浸した炭化珪素基材の表面に炭素を被覆する工程と、SiCの生成温度で加熱して前述の炭素で基材表面のSiをSiC化してSiC転化層を形成する工程と、未反応の炭素を除去する工程と、少くとも部分的にSiC転化層が形成された基材表面にCVD法によりSiC薄膜を形成する工程からなることを特徴とする炭化珪素質部材の製造方法。

IPC (5)：

C04B 41/85 ,  C04B 35/565 ,  C04B 41/87 ,  C04B 41/89 ,  H01L 21/22 501

FI (5)：

C04B 41/85 B ,  C04B 41/87 G ,  C04B 41/89 K ,  H01L 21/22 501 M ,  C04B 35/56 101 X