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J-GLOBAL ID：200903080035459765
半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992338193
Publication number (International publication number)：1994188508
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 不純物の拡散を抑制する層を設けることにより、発光効率を低下させる事なく、良好な電流阻止機能を得ること。【構成】 電流阻止層に隣接する部分に、ノンドープ、又はSe又はTeをドープした、層厚0.05≦d≦0.3μm、組成がAlxGa1-xAl(x≦0.05)又は(AlXGa1-X)1-yInyP(x≦0.05)の層を設ける。
Claim (excerpt)：
AlxGa1-xAs系又は(AlxGa1-x)1-YInYP系半導体材料の積層構造からなり、p型不純物としてZn又はMg又はBeを用いる半導体レーザ素子において、電流阻止層に隣接して、Al液晶比X≦0.05、厚さ0.05≦d≦0.3μm、ノンドープ、又はSe又はTeをドープした拡散防止層を配置した半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
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