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J-GLOBAL ID：200903080035714293

β-FeSi2薄膜の形成方法

Inventor： 吉武 剛
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998349565
Publication number (International publication number)：2000178713
Application date： Dec. 09, 1998
Publication date： Jun. 27, 2000
Summary：

【要約】【課題】 安価に製造できるターゲット材を用い、低い基板温度で、アニール無しに、基板材料の種類を問わずにβ-FeSi2 単相の薄膜を成膜できる方法の開発。【構成】 溶融法または焼結法により製造したFeとSiの成分原子比が1:2の組成のFeSi2 合金をターゲット材料とし、基板温度を500°C以下として、紫外光領域の波長のレーザを用いてパルスレーザアブレーションにより基板上に堆積したままでβ相のFeSi2 薄膜を堆積する。

Claim (excerpt)：

溶融法または焼結法により製造したFeとSiの成分原子比が1:2の組成のFeSi2 合金をターゲット材料とし、基板温度を500°C以下として、紫外光領域の波長のレーザを用いてパルスレーザアブレーションにより基板上に堆積したままでβ相のFeSi2 薄膜を堆積することを特徴とするレーザアブレーション法によるβ-FeSi2 薄膜の形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/28

FI (2)：

C23C 14/06 E ,  C23C 14/28

F-Term (7)：

4K029BA52 ,  4K029BC07 ,  4K029DB20 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09 ,  4K029EA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-318982
  
• 特開平4-318982
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レーザーアブレーション法によるβ-FeSi2薄膜作成の試み
• ベータ鉄シリサイド(β-FeSi2)-環境半導体