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J-GLOBAL ID：200903080036020511

縦型MOS半導体装置の製造方法

Inventor： 夏目 正 ,  小池 理麿
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310811
Publication number (International publication number)：1996167619
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 パターンの微細化によるオン抵抗の低減を維持しつつ、且つ高耐圧化及び高速化することのできる縦型MOS半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1,2にガードリング拡散領域3を形成する工程と、ボディ領域6を拡散により形成するとともにボディ領域6を形成するドーパントと共にライフタイムキラー材を半導体基板1内に導入する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板にボディ領域の形成とは別にガードリング拡散領域を形成する工程と、該ガードリング拡散領域の形成後に、ボディ領域を形成するドーパントと共にライフタイムキラー材を前記半導体基板内に導入してボディ領域を拡散により形成する工程とを含むことを特徴とする縦型MOS半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/78 652 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-287966
  
• 特開昭58-100460
  
• 特開平2-135737
  
• 特開昭57-207382