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J-GLOBAL ID：200903080040253970

配線構造及び配線構造の製造方法

Inventor： 山下 保彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995029700
Publication number (International publication number)：1996222629
Application date： Feb. 17, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホールをAl合金で埋め込む場合に、埋め込みやすい構造で、且つコンタクト抵抗の良好なものを得ること。【構成】 下層配線7を形成し、下層配線の上に層間絶縁膜9を堆積し、この層間絶縁膜に下層配線に通じるコンタクトホール10を形成し、コンタクトホール側壁に窒化チタンからなるサイドウォール12を形成し、コンタクトホール内に少なくともアルミニウムを含む金属により埋め込み、上層配線14を形成する。

Claim (excerpt)：

下層導電領域と上層導電領域間を接続するコンタクトホールの側壁に、導電性材料からなるサイドウォ-ルを形成したことを特徴とする配線構造。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 B