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J-GLOBAL ID:200903080047794616

有機EL素子の封止方法および有機EL素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 静男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994214718
Publication number (International publication number):1996078159
Application date: Sep. 08, 1994
Publication date: Mar. 22, 1996
Summary:
【要約】【目的】 有機EL素子におけるダークスポットの成長を強く抑制することができる有機EL素子の封止方法およびダークスポットの成長が起こりにくい有機EL素子を提供する。【構成】 本発明の有機EL素子の封止方法は、陽極と陰極とが少なくとも発光層を介して積層されてる有機EL素子の外周に、溶存酸素濃度が1ppm以下の不活性液体層を設けることを特徴とするものである。また、本発明の有機EL素子は、上記の本発明の方法により封止されていることを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
陽極と陰極とが少なくとも発光層を介して積層されてる有機EL素子の外周に、溶存酸素濃度が1ppm以下の不活性液体層を設けることを特徴とする有機EL素子の封止方法。

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