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J-GLOBAL ID：200903080048986942

薄膜半導体装置及びその製造方法

Inventor： 原 昌輝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997116586
Publication number (International publication number)：1998294467
Application date： Apr. 18, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 絶縁性基板よりも上層の平坦度が高いためにコストの低い薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板11上のSiNx 膜12に溝12aを形成し、ソース15a等を含む多結晶Si膜15を溝12a内に形成する。そして、ゲート絶縁膜であるSiNx 膜16とソース電極17a等とを形成する。このため、多結晶Si膜15による凹凸がなく、SiNx 膜12よりも上層の平坦度が高いために、段差部におけるソース電極17a等の切断が少なく、薄いSiNx 膜16でも絶縁耐圧を確保することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板中に埋め込まれている導電層を具備することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (6)：

H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C