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J-GLOBAL ID：200903080053276562

隔離層を生成する金属上に、必要に応じて改質した酸化物セラミックス層を作りだす方法と、これから作られる物体

Inventor： ペーター・クルツェ ,  ドーラ・バネリェー ,  ハンス-ユルゲン・クレッケ
Applicant, Patent owner： エレクトロ・ケミカル・エンジニアリング・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
Agent (1)： 安達 光雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341294
Publication number (International publication number)：1993239692
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Sep. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 隔離層を形成する金属または合金上にプラズマ化学的陽極酸化により酸化物セラミックス層を形成する。【構成】 Al,Mg,Ti,Ta,Zr,Nb,Hf,Sb,W,Mo,V,Biまたはこれらの合金上に、プラズマ化学的陽極酸化によって酸化物セラミックス層を作りだす方法において、pH値2〜8、浴温度-30〜+15°C間で一定の、塩化物を含まない電解質浴中で、電位が最終値に到達するまで少なくとも1A/dm2 の一定電流密度を維持することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

Al,Mg,Ti,Ta,Zr,Nb,Hf,Sb,W,Mo,V,Biまたはこれらの合金上に、プラズマ化学的陽極酸化によって酸化物セラミックス層を作りだす方法において、pH値2〜8、浴温度-30〜+15°C間で一定の、塩化物を含まない電解質浴中で、電位が最終値に到達するまで少なくとも1A/dm2 の一定電流密度を維持することを特徴とする方法。

IPC (6)：

C25D 11/02 ,  C25D 11/04 101 ,  C25D 11/06 ,  C25D 11/26 ,  C25D 11/30 ,  C25D 11/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭48-083042
  
• 特開昭58-001093
  
• 特開昭60-181295
  
• 特開昭61-149472