Pat

J-GLOBAL ID：200903080067841017

低誘電率集積回路のクラック止めと酸素バリア

Inventor： ヘンリー・エイ・ネヤ・サード ,  ビンセント・ジェイ・アクガヘイ ,  カート・エイ・トールマン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001031135
Publication number (International publication number)：2001267325
Application date： Feb. 07, 2001
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】切り口に隣接したクラック止めが誘電体内の酸素の拡散に対する1次バリアとしても用いられるとき、相互接続の腐食を少なくする低誘電率の銅相互接続集積回路を提供すること。【解決手段】対応するクラック止め要素が回路相互接続要素と同時に形成される。例えば水平相互接続要素はクラック止めに対応する構造を有し、相互接続層間のバイアもクラック止めに対応する構造を有する。

Claim (excerpt)：

一組のクラック止め垂直部材と一組のクラック止め水平部材を含む回路要素を囲む複合クラック止め構造を有する集積回路を形成する方法であって、半導体基板に一組のアクティブ・デバイスを形成するステップと、前記一組のアクティブ・デバイスを接続して回路を形成するステップとを含み、前記回路を形成するステップは、a)第1の組の相互接続バイアと第1の組のクラック止め垂直部材を第1誘電層に同時に形成するステップと、b)第1の組の相互接続水平部材と第1の組のクラック止め水平部材を、前記第1誘電層上に直接配置された第2誘電層に同時に形成するステップとを含み、該第1の組のクラック止め水平部材は前記第1の組のクラック止め垂直部材上に直接配置され、前記1組の相互接続部材が完成するまで前記ステップa)及びb)を繰り返し、前記1組のクラック止め部材が前記クラック止め構造を形成し、最後の誘電層により最後のクラック止め部材層を囲む、ステップと、前記最後の誘電層上にキャップ層を被着するステップと、前記クラック止め構造上の前記キャップ層に開口を形成し、該開口に密着性金属ライナを被着するステップと、を含む方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293707   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• クラックストッパを形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-072194   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション