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J-GLOBAL ID：200903080075671660

エレクトロルミネッセンス素子

Inventor： 鈴木 正幸 ,  矢沢 美香 ,  井ノ口 和宏 ,  伊藤 信衛
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社 ,  新技術事業団
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993344342
Publication number (International publication number)：1995169570
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】二重像を防止し、高輝度高表示品位を有するEL素子を提供すること。【構成】二色EL表示器の断面模式図において、第一EL素子の赤色発光素子Aが第二EL素子の緑色発光素子Bに対面させ、透光性絶縁材料3で封入して、素子Bの基板1b側を表示面としている。素子Bの裏面に非晶質SiC からなる半透明鏡15を形成してあり、素子Bの緑色の発光を反射して背後に放射しないため、背後の素子Aの金属電極4で反射する為に生じていた二重像を発生させず、品質の良い二色EL表示器を実現する。半透明鏡の反射、透過特性は非晶質SiC の成膜条件や膜厚により制御できる。

Claim (excerpt)：

第一の絶縁性基板上に金属電極、絶縁層、発光層、透明絶縁層、透明電極を形成した第一のエレクトロルミネッセンス素子と、第二の絶縁性透明基板上に透明電極、透明絶縁層、第一のエレクトロルミネッセンス素子と異なる発光色を呈する発光層、透明絶縁層、透明電極を形成した第二のエレクトロルミネッセンス素子とを対向配置させて一定の間隙に保持し、その間隙を透明材料で封止したエレクトロルミネッセンス表示器において、光取り出し側の前記第二のエレクトロルミネッセンス素子の背面に、背後に位置する前記第一のエレクトロルミネッセンス素子の発光する光を透過し、前記第二のエレクトロルミネッセンス素子の発光する光を反射して背後からの二重像を防止する半透明鏡を形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。

IPC (2)：

H05B 33/12 ,  G09F 9/33