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J-GLOBAL ID：200903080083439172

噴流式ウェットエッチング装置

Inventor： 岡村 正朗
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 熊谷 雄太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175735
Publication number (International publication number)：1994021040
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 大口径および微細化する半導体装置をウェツトエッチングする場合に、常に新鮮な薬液をウェハース表面に供給し、裏面を導電性チャックで吸着することにより、パーティクルの付着を防止し、加工精度を向上させる。【構成】 ウェハ3を導電性の真空チャック1で表面を下向きにして保持し、下からノズル4を通してエッチング薬液の噴流を表面に吹きつける。これにより、パーティクルや薬液の微粒子(ミスト)の付着、裏面からのパーティクルの回り込みを防ぎ、加工精度を向上させる。

Claim (excerpt)：

ウェハの裏面を真空吸着する導電性の真空チャックと、ウェハの表面を下向きにウェハを保持するウェハホルダと、ウェハの表面にエッチング液を吹きつけるポンプとを有し、エッチング液を噴流状にウェハの表面に吹きつけ、エッチングすることを特徴とする噴流式ウェットエッチング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-231330
  
• 特開昭63-086523