Pat

J-GLOBAL ID：200903080085248170

発光素子

Inventor： 河田 雅彦 ,  大家 彰 ,  百瀬 正之 ,  後藤 順 ,  望月 和浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995060305
Publication number (International publication number)：1996264876
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】良好なp型コンタクトを得、発光素子の素子特性を向上させる。【構成】ZnTeキャップ層36をドーピングする層38とドーピングしない層37を交互に積層することにより、ZnTe中の実効的ドーピングレベルを制御し、また、ZnTe/ZnSe超格子層のZnSe層のみにドーピングすることにより、窒素の拡散を抑制する。【効果】本発明により、ZnSe層の最適ドーピング条件を維持したままZnTe層の実効的ドーピングレベルを窒素がZnSe層に過剰拡散しない程度に容易に制御できるようになった。これにより、従来方法では困難であったp型電極とのコンタクトが容易になり、かつ、p電極との接触抵抗を低減することができ、発光素子の素子特性が向上する。

Claim (excerpt)：

II-VI族化合物半導体を用いた発光素子において、p型電極とII-VI族化合物半導体との間に不純物ドーピングした第1の半導体と、同一のドーピング条件において第1の半導体より多くの不純物がドーピングされる第2の半導体とのヘテロ構造を設け、第1の半導体には一様にドーピングし、第2の半導体には不純物をドーピングする層とドーピングしない層を交互に成長することにより、第2の半導体中のドーピングレベルを実効的に減少させ、第2の半導体から第1の半導体への不純物拡散を防止するp型コンタクト層を有することを特徴とする発光素子。