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J-GLOBAL ID：200903080085572830
指紋センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219539
Publication number (International publication number)：1993061965
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 指紋情報を電気出力信号に変換する指紋センサにおいて、センサ部の大型化、コスト高、信頼性不足などの課題を解決し、小型化が可能でかつ高分解能で信頼性の高い指紋センサを提供することを目的とする。【構成】 1は上下面に電極を備えた圧電薄膜より構成されるセンサ素子であり、2はこのセンサ素子1を走査するためのスイッチング用のMOS型電界効果トランジスタ(以下FETと記す)であり、3はこのセンサ素子1の出力信号のインピーダンスを低くして信号処理しやすくするためのインピーダンス変換用FETであり、また3はセンサ素子1の出力信号を増幅する増幅用FETであってもよい。上記構成を有する1つのセンサ単位を半導体基板上にマトリックス状に複数個配置させた構成とする。
Claim (excerpt)：
指紋情報を電気出力信号に変換する指紋センサであって、マトリックス状に配置された複数個の圧電薄膜センサと、上記各圧電薄膜センサの出力信号を増幅またはインピーダンス変換する増幅素子またはインピーダンス変換素子と、上記増幅素子またはインピーダンス変換素子の出力を順次走査するスイッチング素子とを同一の半導体基板上に構成することを特徴とする指紋センサ。
IPC (3)：
G06F 15/64
, G06F 3/03 315
, G06F 3/03 345
