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J-GLOBAL ID：200903080091062568

半導体記憶装置

Inventor： 伊原 誠
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239813
Publication number (International publication number)：1994089577
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 不必要な遅延時間のないアクセスタイムの短い半導体記憶装置を提供する。【構成】 データを記憶するためのメモリセル33、メモリセル33に記憶されたデータに応じた電位にチャージされるビット線対31、ビット線対31と電気的に接続されるデータ線対32、データ線対32の電位差を増幅し、そのデータに対応する信号を出力するためのメインアンプ5を備えた半導体記憶装置であって、メインアンプ5は、データ線対32の電位差が予め決められた一定の値より大きくなった時にはじめてそのデータに対応する信号を出力する。

Claim (excerpt)：

データを記憶するためのメモリセル、該メモリセルに記憶されたデータに応じた電位にチャージされるビット線対、該ビット線対と電気的に接続されるデータ線対、該データ線対の電位差を増幅し、該データに対応する信号を出力するためのメインアンプを備えた半導体記憶装置であって、該メインアンプは、該データ線対の電位差が予め決められた一定の値より大きくなった時にはじめて該データに対応する信号を出力する、半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-160815
  
• 特開平2-015486
  
• 特開昭62-175995
  
• 特開平4-026985