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J-GLOBAL ID：200903080094700301

複合圧電基板とその製造方法

Inventor： 江田 和生 ,  冨田 佳宏 ,  田口 豊 ,  川崎 修
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996028993
Publication number (International publication number)：1997221392
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】 熱的、機械的に安定で、高精度加工の可能な、圧電基板であるランガサイト基板とシリコン基板を一体に集積化した複合圧電基板の構造とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ランガサイト基板1およびシリコン基板2の接合予定部を極めて清浄にし、さらに親水化処理し、重ね合わせて熱処理することにより、前記ランガサイト基板1に前記シリコン基板2を、界面の水酸基の水素結合または酸素の共有結合により接合するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

ランガサイト基板とシリコン基板が、界面の水酸基の水素結合または酸素との共有結合により直接接合されていることを特徴とする複合圧電基板。

IPC (8)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/34 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/25

FI (8)：

C30B 29/06 Z ,  C30B 29/34 Z ,  H03H 3/02 B ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/17 G ,  H03H 9/25 C ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z