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J-GLOBAL ID：200903080110296974

多結晶シリコンの形成方法及び形成装置

Inventor： 戸川 淳 ,  石川 道夫 ,  伊東 一幸 ,  橋本 征典 ,  米崎 武 ,  中村 久三 ,  谷 典明
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995303038
Publication number (International publication number)：1997148246
Application date： Nov. 21, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】移動度の大きな多結晶シリコン薄膜トランジスタを能率良く形成できる装置及び形成方法を提供すること【解決手段】真空中に於いて基板にアモルファスシリコンを形成したのち、連続して真空中で該アモルファスシリコンにレーザービームを照射してレーザーアニールを行い結晶化する。基板に形成した多結晶シリコン上に連続して真空中でシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を成膜する。基板2へアモルファスシリコンを形成する成膜室8に、該アモルファスシリコンを形成した該基板が搬出入され該アモルファスシリコンにレーザービームを真空中で照射してこれを多結晶化させるためのレーザーを備えた結晶化室12を真空を維持して接続した。該結晶化室に、更に基板へシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を形成する成膜室10を接続する。

Claim (excerpt)：

真空中に於いて基板にアモルファスシリコンを形成したのち、連続して真空中で該アモルファスシリコンにレーザービームを照射してレーザーアニールを行い多結晶化することを特徴とする多結晶シリコンの形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/68 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/68 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜半導体素子の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-273051   Applicant：ソニー株式会社