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J-GLOBAL ID：200903080116671041

半導体発光素子

Inventor： 狩野 隆司 ,  林 伸彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370898
Publication number (International publication number)：2000196194
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発光層に注入されたキャリアの溢れ出しが防止されかつ発光層の上下方向における光学的な対称性が向上された半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 BGaNまたはGaNからなるn-光ガイド層7とBInGaNまたはInGaNからなるn-MQW活性層9との間にBAlGaNまたはAlGaNからなる大きなバンドギャップを有するn-キャリアブロック層8を設ける。n-MQW活性層9とBGaNまたはGaNからなるp-光ガイド層11との間にBAlGaNまたはAlGaNからなる大きなバンドギャップを有するp-キャリアブロック層10を設ける。

Claim (excerpt)：

ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体により形成された半導体発光素子であって、第1のクラッド層、第1の光ガイド層、発光層、第2のクラッド層および第2の光ガイド層をこの順に含み、前記第1の光ガイド層と前記発光層との間に前記第1の光ガイド層よりも大きなバンドギャップを有する第1の層が設けられ、前記第2の光ガイド層と前記発光層との間に前記第2の光ガイド層よりも大きなバンドギャップを有する第2の層が設けられたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

F-Term (21)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 3族窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-358987   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 科学技術振興事業団
• GaN系発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-311441   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団