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J-GLOBAL ID：200903080128246451
窒化シリコン膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194428
Publication number (International publication number)：1994045322
Application date： Jul. 22, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】DRAMなどの容量絶縁膜形成において、絶縁破壊耐圧特性の優れた窒化シリコン膜を高いスループットで形成する。【構成】下部電極である多結晶シリコン膜13上に、比較的低温で減圧気相成長法により窒化シリコン膜11を成長させ、続いて比較的高温で減圧気相成長法により、窒化シリコン膜12を成長させる。【効果】平坦性に優れた窒化シリコン膜を高い成長速度で形成することができる。
Claim (excerpt)：
複数の温度にて、減圧気相成長を行うことを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/318
, C23C 14/06
, H01L 21/31
Cited by examiner (7)
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