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J-GLOBAL ID：200903080130506169

非晶質GaAs薄膜の製造方法および非晶質GaAsTFTの製造方法

Inventor： 下元 泰治 ,  竹歳 和久
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996243715
Publication number (International publication number)：1998092747
Application date： Sep. 13, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 デバイスの特性に望ましい組成の非晶質GaAs薄膜を成長できる薄膜の製造方法およびその薄膜を用いたTFTの製造方法を提供する。【解決手段】 プレート4上にベルジャ6が置かれて形成された真空槽内に、温度制御用円筒16がプレート4上に設置されている。温度制御用円筒16の一方の開口部には蒸着源加熱用ヒータを有した蒸着源用ボード8が設置され、他方の開口部には、基板加熱用ヒータを有する基板ホールド治具10が設置されていて、表面が鏡面研磨されたガラス基板12が取り付けられている。温度制御用円筒16の円筒外側面には、円筒用ヒータ18が巻かれいて、さらに熱電対20が設けられている。温度制御用円筒16の温度を熱電対20により測定して、円筒用ヒータ18を温度制御器で温度を一定に保つように制御している。蒸発した蒸着材料を温度制御用円筒16内を通過させてガラス基板上に蒸着する。

Claim (excerpt)：

蒸着源用ボードから蒸着材料を蒸発させて基板上に蒸着し、非晶質GaAs薄膜を形成する非晶質GaAs薄膜の製造方法において、加熱された前記蒸着源用ボードから蒸発した前記蒸着材料を前記基板上に導く中空ガイド部材を前記蒸着源用ボードと前記基板の間に設置し、前記中空ガイド部材の温度を、180°C以上300°C以下の範囲に保持し、前記蒸着源用ボードの温度を、蒸着開始後略10sec以内で1000°C近傍まで昇温し、前記基板の温度を、205°C以下に保持し、前記蒸着源用ボードから蒸発して前記中空ガイド部材内を通過した前記蒸着材料を前記基板上に蒸着することを特徴とする非晶質GaAs薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/203 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 21/203 Z ,  H01L 29/78 618 B