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J-GLOBAL ID：200903080132439493

自己消弧型半導体装置

Inventor： 村上 進 ,  高田 正典 ,  望月 康弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204148
Publication number (International publication number)：1995058328
Application date： Aug. 18, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ターンオフ時における装置(IGBT)の破壊耐量を高めるようにした自己消弧型半導体装置(IGBT)を提供する。【構成】 n型ベース層1と、ベース層1の一面に接合されたn+型バッファ層2及びp+型エミッタ層3と、ベース層1の他面に設けられた複数のp型半導体領域4と、半導体領域4内に設けられたn+型エミッタ層5と、エミッタ層5の一部に設けられ、エミッタ層5の表面から半導体領域4の内部に達するp+型半導体領域6と、エミッタ層3に接合されたコレクタ電極9と、隣接する半導体領域4間で、ベース層1に対し絶縁配置されたゲート電極11と、エミッタ層5及び半導体領域6に接合され、ゲート電極11に対し絶縁配置されたエミッタ電極10を有するIGBTにおいて、エミッタ層5と半導体領域4との間の少なくとも一部に、広いバンドギャップを有するp型SiC層7を介在配置させた。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体基体層と、その半導体基体層の一方の面に順に接合された第1導電型の高不純物濃度の第1半導体層及び第2導電型の高不純物濃度の第2半導体層と、前記半導体基体層の他方の面の所定の個所に島状に設けられた複数の第2導電型の第1半導体領域と、前記各第2導電型の第1半導体領域内に設けられた第1導電型の高不純物濃度の第3半導体層と、この第1導電型の高不純物濃度の第3半導体層の一部に設けられ、前記第1導電型の高不純物濃度の第3半導体層の表面から前記第2導電型の第1半導体領域の内部にまで達する第2導電型の高不純物濃度の第2半導体領域と、前記第2導電型の高不純物濃度の第2半導体層の露出表面にオーミック接合された第1主電極と、隣接する前記第2導電型の第1半導体領域を股ぎ、かつ、前記半導体基体層の表面に対し絶縁配置された制御電極と、前記第1導電型の高不純物濃度の第3半導体層及び第2導電型の高不純物濃度の第2半導体領域の各露出表面にオーミック接合され、かつ、前記制御電極を絶縁状態で覆うように配置された第2主電極とを有する自己消弧型半導体装置において、前記第1導電型の高不純物濃度の第3半導体層と前記第2導電型の第1半導体領域との間の少なくとも一部に、広いバンドギャップを有する第2導電型の第4半導体層を介在配置させたことを特徴とする自己消弧型半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/33 ,  H01L 29/70 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/80

FI (6)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/70 ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 N ,  H01L 29/74 M ,  H01L 29/80 V